型号:DMG1016V-7 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:SOT-563,SOT-666 | 描述:MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 870mA,640mA |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 60.67pF @ 16V |
功率_最大 | 530mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部 | 许小姐0755-83209630 82519391 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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