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电子元器件详细资料 » IC[16043] » DMG1016V-7
型号:DMG1016V-7类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:SOT-563,SOT-666描述:MOSFET N+P 20V 870MA SOT563

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 20V 870MA SOT563
系列-
制造商Diodes Inc
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C870mA,640mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C400 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs0.74nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds60.67pF @ 16V
功率_最大530mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部许小姐0755-83209630 82519391
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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